Kanal wideo Chin Wuhan Precise Instrument Co., Ltd.
Czat Skontaktuj się z nami
Do domu filmy Lista odtwarzania O nas Oficjalna strona internetowa
Polski
English
French
German
Italian
Russian
Spanish
Portuguese
Dutch
Greek
Japanese
Korean
Polish
Persian
Bengali
Thai
Vietnamese
Arabic
Hindi
Turkish
Indonesian
loading

Jednostka pomiarowa źródła impulsu prądu wysokiego 100 V/100 A HCP300 dla IGBT

Źródłowa jednostka miary
February 24, 2025
Czat
Wprowadzając HCP300, 100V/100A jednostkę pomiaru źródła impulsu prądu wysokiego dla IGBT, z 250k szybkości pobierania próbek, 100A zakres impulsu i 0,1% dokładności pomiaru,idealny do testowania modułów ogniw słonecznych i urządzeń RF, z darmowym profesjonalnym oprogramowaniem do testowania, witamy na naszej stronie internetowej!
Źródłowa jednostka miary
Powiązane filmy
2 MS/s Wielokanalizowana karta pozyskiwania danych A400B Board Wysoka prędkość 00:27
2 MS/s Wielokanalizowana karta pozyskiwania danych A400B Board Wysoka prędkość

2 MS/s Wielokanalizowana karta pozyskiwania danych A400B Board Wysoka prędkość
Źródłowa jednostka miary
February 26, 2025
1000A/18V wysokoprężne zasilacze impulsowe HCPL100 do badań SiC/IGBT/GaN HEMT 00:24
1000A/18V wysokoprężne zasilacze impulsowe HCPL100 do badań SiC/IGBT/GaN HEMT

1000A/18V wysokoprężne zasilacze impulsowe HCPL100 do badań SiC/IGBT/GaN HEMT
Źródłowa jednostka miary
February 25, 2025
S300 Jednostka pomiarowa źródła prądu stałego 300V/1A do badania właściwości elektrycznych 00:24
S300 Jednostka pomiarowa źródła prądu stałego 300V/1A do badania właściwości elektrycznych

S300 Jednostka pomiarowa źródła prądu stałego 300V/1A do badania właściwości elektrycznych
Źródłowa jednostka miary
February 24, 2025
10kV/6000A System analizatora urządzeń zasilania PMST do półprzewodników MOSFET BJT IGBT i SiC GaN 00:30
10kV/6000A System analizatora urządzeń zasilania PMST do półprzewodników MOSFET BJT IGBT i SiC GaN

10kV/6000A System analizatora urządzeń zasilania PMST do półprzewodników MOSFET BJT IGBT i SiC GaN
Systemy badawcze półprzewodników
February 26, 2025
1000A Prąd czujnik system badawczy CTMS 00:24
1000A Prąd czujnik system badawczy CTMS

1000A Prąd czujnik system badawczy CTMS
Systemy badawcze półprzewodników
February 26, 2025
300A/30V wysokoprężne zasilacze impulsowe HCPL030 do badań SiC/IGBT/GaN HEMT 00:24
300A/30V wysokoprężne zasilacze impulsowe HCPL030 do badań SiC/IGBT/GaN HEMT

300A/30V wysokoprężne zasilacze impulsowe HCPL030 do badań SiC/IGBT/GaN HEMT
Wyposażenie wysokiego prądu
February 25, 2025
Wielokanalizowy system starzenia laserowego o dużej mocy LDBI 00:34
Wielokanalizowy system starzenia laserowego o dużej mocy LDBI

Wielokanalizowy system starzenia laserowego o dużej mocy LDBI
Systemy badawcze półprzewodników
February 26, 2025
PRECISE Instrument. Źródło eksploracji wewnętrzna i zewnętrzna spójność 01:24
PRECISE Instrument. Źródło eksploracji wewnętrzna i zewnętrzna spójność

PRECISE Instrument. Źródło eksploracji wewnętrzna i zewnętrzna spójność
Inne filmy
February 17, 2025
1200V/100A analizator parametrów półprzewodników SPA6100 00:36
1200V/100A analizator parametrów półprzewodników SPA6100

1200V/100A analizator parametrów półprzewodników SPA6100
Systemy badawcze półprzewodników
February 26, 2025
300V/30A Dwu-kanałowy licznik źródła DP300B do różnych badań charakterystyki elektrycznej 00:24
300V/30A Dwu-kanałowy licznik źródła DP300B do różnych badań charakterystyki elektrycznej

300V/30A Dwu-kanałowy licznik źródła DP300B do różnych badań charakterystyki elektrycznej
Dwu kanałowy licznik źródła
February 24, 2025