8000V/40mA Wysokonapięciowe źródło zasilania E800
, wyposażony w reakcję na poziomie milisekund i niski poziom wytwarzania ciepła, wysokonapięciowe wyjście i badania szerokiego zakresu, elastyczny wyjście i zróżnicowane skanowanie oraz inteligentne ograniczanie prądu dla bezpieczeństwa.Idealne do badań napięcia awaryjnego IGBT, IGBT starzenie się zasilania, dioda ochronna od błyskawicy wytrzymać testy napięcia, i varistor wytrzymać testy napięcia.
Źródło mocy wysokiego napięcia
-
8000V 40mA Wysokonapięciowe źródło zasilania E800 Do badań SiC / IGBT / GaN HEMT
Skontaktuj się teraz -
2200V 100mA Wysokonapięciowe źródło zasilania E200 Stałe źródło zasilania
Skontaktuj się teraz -
3500V/100mA Wysokonapięciowe źródło zasilania E300 Wysokonapięciowe źródło zasilania
Skontaktuj się teraz -
1200V 100mA Wysokonapięciowe urządzenie pomiarowe źródła zasilania do badania napięcia awaryjnego IGBT
Skontaktuj się teraz -
10V 500mA PXI Jednostka pomiarowa źródła podkarty pulsu PXI SMU Jednostka CBI401
Skontaktuj się teraz
Powiązane filmy
10kV/6000A System analizatora urządzeń zasilania PMST do półprzewodników MOSFET BJT IGBT i SiC GaN
Systemy badawcze półprzewodników
February 26, 2025
300A/30V wysokoprężne zasilacze impulsowe HCPL030 do badań SiC/IGBT/GaN HEMT
Wyposażenie wysokiego prądu
February 25, 2025
2 MS/s Wielokanalizowana karta pozyskiwania danych A400B Board Wysoka prędkość
Źródłowa jednostka miary
February 26, 2025
Wielokanalizowy system starzenia laserowego o dużej mocy LDBI
Systemy badawcze półprzewodników
February 26, 2025
PRECISE Instrument. Źródło eksploracji wewnętrzna i zewnętrzna spójność
Inne filmy
February 17, 2025
1200V/100A analizator parametrów półprzewodników SPA6100
Systemy badawcze półprzewodników
February 26, 2025
30V/1A/10A Badanie półprzewodników Czterokwadrantowe działanie Pulsomierz źródła P100
Źródłowa jednostka miary
February 24, 2025