300A/30V wysokoprężne zasilacze impulsowe HCPL030 do badań SiC/IGBT/GaN HEMT
prąd impulsowy, 20V@300A i napięcie obciążenia wyjściowego pulsu ≤ 500, szerokość pulsu prądu 50μs-1ms i czas wzrostu prądu 10μs, idealny do testowania płytek i czasu reakcji czujników wysokiego prądu,Witamy na naszej stronie internetowej!
Wyposażenie wysokiego prądu
-
300A 30V Prąd impulsowy źródło wysokiego prądu HCPL030 Do badania SiC IGBT GaN HEMT
Skontaktuj się teraz -
1000A 18V Wysoki Prąd Impulsowy Źródło prądu HCPL100 Programatyczny zasilacz
Skontaktuj się teraz -
10V 500mA PXI Jednostka pomiarowa źródła podkarty pulsu PXI SMU Jednostka CBI401
Skontaktuj się teraz -
Pulse Source Meter P300 300V 1A 10A Source Measure Unit Semiconductor Testing
Skontaktuj się teraz -
30V 4A 30A Jednostka pomiarowa źródła impulsu P100B Miernik źródeł dla urządzeń półprzewodnikowych
Skontaktuj się teraz
Powiązane filmy
10kV/6000A System analizatora urządzeń zasilania PMST do półprzewodników MOSFET BJT IGBT i SiC GaN
Systemy badawcze półprzewodników
February 26, 2025
2 MS/s Wielokanalizowana karta pozyskiwania danych A400B Board Wysoka prędkość
Źródłowa jednostka miary
February 26, 2025
Wielokanalizowy system starzenia laserowego o dużej mocy LDBI
Systemy badawcze półprzewodników
February 26, 2025
PRECISE Instrument. Źródło eksploracji wewnętrzna i zewnętrzna spójność
Inne filmy
February 17, 2025
1200V/100A analizator parametrów półprzewodników SPA6100
Systemy badawcze półprzewodników
February 26, 2025
30V/1A/10A Badanie półprzewodników Czterokwadrantowe działanie Pulsomierz źródła P100
Źródłowa jednostka miary
February 24, 2025
Jednostka pomiarowa źródła impulsu prądu wysokiego 100 V/100 A HCP300 dla IGBT
Źródłowa jednostka miary
February 24, 2025
300V/30A Dwu-kanałowy licznik źródła DP300B do różnych badań charakterystyki elektrycznej
Dwu kanałowy licznik źródła
February 24, 2025
S300 Jednostka pomiarowa źródła prądu stałego 300V/1A do badania właściwości elektrycznych
Źródłowa jednostka miary
February 24, 2025