Kanal wideo Chin Wuhan Precise Instrument Co., Ltd.
Skontaktuj się z nami
Do domu filmy Lista odtwarzania Strona internetowa

1200V/100mA Wysokonapięciowe źródło zasilania do badania napięcia awaryjnego IGBT

Źródło mocy wysokiego napięcia
February 24, 2025
Keyword: Źródło mocy wysokiego napięcia
Skontaktuj się z nami
Znaków:
#źródło zasilania o napięciu stałym #źródło mocy stałego prądu #źródło napięcia
Video Description:
Discover the E100, a high-performance 1200V/100mA high voltage power source designed for IGBT breakdown voltage testing. With rapid voltage build-up, precise measurements, and flexible output modes, it ensures efficient and safe testing for various applications.
Powiązane filmy
8000V/40mA Wysokonapięciowe źródło zasilania E800 00:27

8000V/40mA Wysokonapięciowe źródło zasilania E800
Źródło mocy wysokiego napięcia
February 25, 2025
3500V/100mA Wysokonapięciowe źródło zasilania E300 00:24

3500V/100mA Wysokonapięciowe źródło zasilania E300
Źródło mocy wysokiego napięcia
February 25, 2025
2200V/100mA Wysokonapięciowe źródło zasilania E200 00:27

2200V/100mA Wysokonapięciowe źródło zasilania E200
Źródło mocy wysokiego napięcia
February 25, 2025
1200V/100A analizator parametrów półprzewodników SPA6100 00:36

1200V/100A analizator parametrów półprzewodników SPA6100
Systemy badawcze półprzewodników
February 25, 2025
1000A Prąd czujnik system badawczy CTMS 00:24

1000A Prąd czujnik system badawczy CTMS
Systemy badawcze półprzewodników
February 25, 2025
S300 Jednostka pomiarowa źródła prądu stałego 300V/1A do badania właściwości elektrycznych 00:24

S300 Jednostka pomiarowa źródła prądu stałego 300V/1A do badania właściwości elektrycznych
Źródłowa jednostka miary
February 24, 2025
1000A/18V wysokoprężne zasilacze impulsowe HCPL100 do badań SiC/IGBT/GaN HEMT 00:24

1000A/18V wysokoprężne zasilacze impulsowe HCPL100 do badań SiC/IGBT/GaN HEMT
Źródłowa jednostka miary
February 24, 2025
10kV/6000A System analizatora urządzeń zasilania PMST do półprzewodników MOSFET BJT IGBT i SiC GaN 00:30

10kV/6000A System analizatora urządzeń zasilania PMST do półprzewodników MOSFET BJT IGBT i SiC GaN
Systemy badawcze półprzewodników
February 25, 2025
30V/30A Dwu kanałowy licznik źródła DP100B z pomiarem napięcia/prądu i czterokwadrantowym działaniem 00:24

30V/30A Dwu kanałowy licznik źródła DP100B z pomiarem napięcia/prądu i czterokwadrantowym działaniem
Dwu kanałowy licznik źródła
February 24, 2025
100V/1A/10A Puls Source Meter P200 do charakterystyki półprzewodników 00:24

100V/1A/10A Puls Source Meter P200 do charakterystyki półprzewodników
Źródłowa jednostka miary
February 24, 2025